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主要用于制造半導(dǎo)體器件用芯片時的背層金屬鍍層包括蒸發(fā)金絲、金段，蒸發(fā)金砷絲、金砷段，蒸發(fā)銀
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蒸發(fā)金主要用于制造半導(dǎo)體器件用芯片時的背層金屬鍍層。它是一種貴金屬材料，通過特定的工藝沉積在半導(dǎo)體芯片表面，形成金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸膜。蒸發(fā)金材料的應(yīng)用不僅限于軍事和民用微波通信器件，如MIMO天線，還包括航天航空等重要領(lǐng)域使用的高轉(zhuǎn)化率半導(dǎo)體化合物芯片，如GaN等。蒸發(fā)金的制備和應(yīng)用不僅限于金，還包括金與其他元素的合金，如純金、金鍺、金鍺鎳、金鈹、金鎵、金錫等合金顆粒及濺射靶材。這些材料通過特定的工藝沉積在氮化鎵、砷化鎵、磷化鎵等半導(dǎo)體芯片表面，對于提升半導(dǎo)體器件的性能和可靠性至關(guān)重要。
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